El logro de la Academia China de Ciencias está lejos de la producción en masa, pero demuestra que China sigue la hoja de ruta de los líderes mundiales.

Investigadores chinos han logrado avances iniciales para llevar los nodos de procesamiento de semiconductores por debajo de los 3 nm utilizando tecnología de litografía más antigua, dado que los equipos más avanzados de litografía ultravioleta extrema (EUV) de ASML siguen bloqueados por las sanciones de EE.UU.

Este logro marca el progreso más reciente en el empeño de China por trazar una ruta alternativa hacia la fabricación de chips avanzados en medio de las restricciones a la exportación impuestas por Estados Unidos. Según las normas actuales de control de exportaciones, la empresa neerlandesa ASML, gigante del sector de equipos, tiene prohibido vender a clientes chinos sus máquinas EUV de última generación, las cuales son esenciales para producir chips con nodos inferiores a 7 nm.

En el desarrollo más reciente, la Academia China de Ciencias (CAS), entidad respaldada por el Estado, ha establecido una vía preliminar para el desarrollo de dispositivos de arquitectura *gate-all-around* (GAA) utilizando litografía ultravioleta profunda (DUV), una tecnología menos avanzada. Así lo informó el jueves el medio taiwanés Digitimes, citando una intervención de Ye Tianchun, un veterano del Instituto de Microelectrónica de la academia (IMECAS).

Ye señaló que el instituto había completado la integración inicial de transistores CMOS GAA con canales de nanocapas apiladas (*stacked nanosheet-channel*) utilizando equipos DUV. Describió el resultado como una «nueva vía de proceso para transistores MOS en fase inicial, orientada a la fabricación avanzada de chips inferiores a 3 nm en China», según el artículo de Digitimes.