La compañía habría presentado decenas de familias de patentes relacionadas con esta tecnología, la cual permite mejorar el rendimiento de los chips.

El gigante neerlandés de equipos para semiconductores, ASML, se está adentrando en la tecnología de unión híbrida (hybrid bonding) de próxima generación, una técnica que crea conexiones eléctricas densas mediante la unión directa de chips o obleas de silicio, según un nuevo informe. Importantes empresas chinas también están adoptando esta tecnología para mejorar el rendimiento de sus chips.

ASML presentó 27 familias de patentes relacionadas con herramientas de unión híbrida entre diciembre de 2022 y noviembre de 2024, según un informe publicado el jueves por SemiAnalysis, una firma de investigación especializada en la cadena de suministro de semiconductores e IA. La cifra podría ser incluso mayor, debido a los retrasos en la publicación de las solicitudes más recientes, señala el informe.

Estas solicitudes sugieren que ASML está expandiéndose más allá de la litografía —mercado que domina— hacia los procesos de «back-end» (etapas finales de fabricación), en un contexto de creciente demanda de chips de alto rendimiento impulsada por el auge global de la inteligencia artificial.

Asimismo, la compañía ha comenzado a desarrollar la arquitectura para un sistema de unión híbrida en colaboración con las firmas tecnológicas neerlandesas Prodrive Technologies y VDL ETG, según indica SemiAnalysis, citando informes de medios especializados del sector.

«Creemos que ASML podría obtener una ventaja competitiva en cuanto a la precisión de alineación y el control de partículas en los procesos de unión híbrida», afirma SemiAnalysis. «Estos son los dos factores que determinan el rendimiento del proceso de unión (*bonding*). Y ASML cuenta con la experiencia necesaria para resolver problemas similares en el ámbito de la litografía».

La empresa no ha anunciado oficialmente el alcance de sus avances en el campo del empaquetado avanzado (*advanced packaging*). Sin embargo, su director ejecutivo, Christophe Fouquet, señaló durante una presentación de resultados en abril que la compañía sigue «buscando oportunidades para apoyar a sus clientes» en lo que respecta a la unión híbrida (*hybrid bonding*).

En un correo electrónico enviado el viernes al *South China Morning Post*, ASML indicó que seguirá «analizando hacia dónde evolucionará la industria de la integración 3D, cómo se alinea esto con la hoja de ruta de ASML y en qué áreas puede aportar valor añadido la experiencia de la compañía».

La unión híbrida permite establecer conexiones eléctricas de densidad ultraelevada y se considera una de las próximas grandes tendencias en la fabricación de chips. Recientemente, las empresas chinas Huawei Technologies y ChangXin Memory Technologies (CXMT) han logrado avances utilizando esta técnica para mejorar el rendimiento, en un contexto marcado por las restricciones a la exportación —lideradas por Estados Unidos— que limitan el acceso a determinados equipos avanzados para la fabricación de semiconductores.

Debido a dichas restricciones, Huawei y CXMT no pueden importar las máquinas de litografía ultravioleta extrema (EUV) más avanzadas de ASML.

Según un informe de septiembre de Guotai Haitong Securities —que cita datos de Samsung—, la unión híbrida puede reducir la resistencia térmica en las pilas de memoria de gran ancho de banda (HBM) en aproximadamente un 30%. Una menor resistencia térmica facilita la disipación del calor, lo que podría reducir tanto los requisitos de refrigeración como la necesidad de realizar inversiones adicionales en este ámbito.

Esta semana, Huawei reveló nuevos detalles sobre su serie insignia Kirin 9050, el primer chip fabricado a gran escala que emplea su arquitectura patentada *LogicFolding*, desarrollada bajo un marco conceptual denominado «ley de escalado Tau» (*Tau Scaling Law*). La compañía afirmó que este diseño integra más de 50 millones de uniones híbridas y aumenta la densidad total de transistores en un 53,5%.

Por su parte, CXMT anunció la semana pasada que su arquitectura de memoria de acceso aleatorio dinámica (DRAM) más reciente, denominada «4F square», utiliza la unión híbrida. Esto podría permitirle aumentar la densidad de bits en las obleas sin necesidad de recurrir a la avanzada litografía EUV. A pesar de los posibles beneficios de esta técnica, China sigue dependiendo en gran medida de equipos de unión híbrida (hybrid bonding) importados, especialmente de máquinas avanzadas, según un informe independiente de Huaan Securities.

El informe señala que los fabricantes nacionales de equipos están intensificando sus actividades de investigación y desarrollo para reducir la brecha existente; entre los actores más destacados se encuentran Piotech y Xinhui Lianxin.

Según su informe anual, los equipos de unión híbrida de Piotech generaron unos ingresos de 136 millones de yuanes (20,3 millones de dólares estadounidenses) en 2025, lo que supone un incremento del 41,9% respecto al año anterior.

En un informe publicado la semana pasada, los analistas de Nomura indicaron que la arquitectura «LogicFolding» de Huawei podría impulsar la demanda de equipos de unión, así como de las herramientas de deposición de películas delgadas, que constituyen el producto principal de Piotech.