China ha dado un paso fundamental hacia la autosuficiencia en semiconductores con el desarrollo exitoso de su primer implantador de iones de hidrógeno de alta energía de tipo tándem de producción nacional, un avance que aborda directamente una vulnerabilidad crítica en su cadena de suministro de fabricación de chips, según expertos del sector.

El nuevo sistema, denominado POWER-750H y desarrollado por el Instituto Chino de Energía Atómica, dependiente de la Corporación Nacional Nuclear de China, pone fin a la dependencia de China de equipos extranjeros para la implantación de iones de alta energía, un proceso clave en la fabricación de semiconductores de potencia avanzados, según los expertos.

Este hito no solo cubre una importante brecha tecnológica, sino que también fortalece la resiliencia de China frente a las restricciones tecnológicas externas, acelerando el impulso del país para la localización de las capacidades centrales de fabricación de semiconductores, según el instituto.

El desarrollo del POWER-750H significa que China ha dominado la tecnología de I+D integral para implantadores de iones de hidrógeno de alta energía de tipo tándem, afirmó el instituto.

El implantador de iones se considera una de las cuatro herramientas esenciales en la fabricación de semiconductores, junto con las máquinas de fotolitografía, los equipos de grabado y los sistemas de deposición de película delgada.

Si bien China ha logrado avances en estas últimas categorías, la implantación de iones de alta energía ha seguido siendo un cuello de botella persistente, ya que los fabricantes nacionales dependían históricamente casi por completo de las importaciones.

Pan Helin, miembro del Comité de Expertos en Economía de la Información y las Comunicaciones, perteneciente al Ministerio de Industria y Tecnología de la Información, afirmó que el desarrollo del implantador de iones de hidrógeno de alta energía de tipo tándem ha cubierto una brecha tecnológica crítica en China, reduciendo significativamente la dependencia del país de equipos extranjeros para la fabricación de chips de potencia de alto voltaje, como el IGBT (transistor bipolar de puerta aislada), un dispositivo semiconductor de potencia.

Esto mejorará aún más la autosuficiencia nacional en equipos de producción de semiconductores, al tiempo que acelerará la sustitución de las herramientas importadas por alternativas de producción nacional, añadió.

La industria mundial de semiconductores atraviesa actualmente un período de expansión y transformación estructural sin precedentes, impulsado principalmente por la revolución de la inteligencia artificial y las crecientes divisiones geopolíticas. Según las previsiones de mercado de International Data Corp., a principios de 2026, el mercado se acercará a una valoración histórica de 1 billón de dólares, con los chips de IA como principal motor de ingresos.

Los ingresos globales del sector de semiconductores aumentaron un 21% en 2025, alcanzando los 793 mil millones de dólares, y los procesadores de IA, la memoria de alto ancho de banda y los chips de red representaron casi un tercio de las ventas totales en 2025, según un informe de mercado de Gartner.

«China ya cuenta con importantes ventajas de escala en la fabricación de semiconductores IGBT. Con la exitosa localización de esta tecnología de equipos avanzados, la autonomía tecnológica de China en la producción de IGBT se fortalece aún más», afirmó Pan.

«Una cadena de suministro de equipos nacionales más estable y segura permitirá sin duda a China aprovechar y ampliar aún más sus ventajas de escala en el sector de los IGBT».

Lin Boqiang, director del Centro de Investigación de Economía Energética de China en la Universidad de Xiamen, coincidió, afirmando que este éxito representa un momento crucial para la industria nacional de semiconductores.

Este logro no es simplemente una mejora incremental en la capacidad de fabricación, sino más bien una desvinculación estratégica de la dependencia extranjera en una tecnología crítica, un punto clave para el sector, explicó.

Lin señaló que, al asegurar el control autónomo sobre este equipo esencial, considerado una de las cuatro herramientas principales para la fabricación de chips, la seguridad de la cadena de suministro de China se ha fortalecido significativamente.

Esto es especialmente urgente, ya que los gobiernos de todo el mundo están invirtiendo fuertemente en la localización de la fabricación, dado que los controles a la exportación de materiales críticos, como el galio y el germanio, y de tecnologías sensibles están generando escasez estructural, añadió.

«Esto es particularmente crucial para los florecientes sectores de vehículos de nueva energía y redes inteligentes, donde dispositivos como los chips IGBT dependen en gran medida del dopaje iónico profundo», dijo Lin.

«Se espera que la producción nacional de esta herramienta reduzca los costos de fabricación y disminuya drásticamente el tiempo de inactividad por mantenimiento, acelerando así el desarrollo de módulos de potencia más eficientes y de mayor rendimiento, esenciales para alcanzar los objetivos de reducción de emisiones de carbono».

Añadió que el exitoso desarrollo del implantador de iones de hidrógeno de alta energía tipo tándem POWER-750H también fortalecerá la seguridad de las cadenas de producción y suministro de semiconductores a nivel mundial.

Se espera que esta producción nacional proteja aún más a las industrias estratégicas de la volatilidad de las políticas comerciales y los aranceles globales, que actualmente son una de las principales preocupaciones operativas para los líderes del sector, concluyó.