Se espera que este material esencial para los procesos avanzados de semiconductores entre en una etapa de avances acelerados, según un importante proveedor chino.

El impulso de China hacia la autosuficiencia en semiconductores está pasando de una aspiración general a un ataque preciso contra los materiales clave, y la fotorresistencia —el compuesto químico fotosensible esencial para grabar circuitos microscópicos en obleas de silicio— se perfila como un nuevo campo de batalla.

Según Fu Zhiwei, presidente de Xuzhou B&C Chemical, importante proveedor nacional de fotorresistencias, se esperaba que el sector, que proporciona el material clave para la litografía, entrara en una etapa crítica de «avances acelerados y aplicaciones a gran escala» en los próximos años.

Fu, también diputado del Congreso Nacional del Pueblo, declaró al South China Morning Post durante la reunión política anual de las «dos sesiones» la semana pasada que la empresa aspiraba a lograr la producción en masa de varios materiales fotorresistentes esenciales utilizados en procesos avanzados en un plazo de cinco años.

Estas declaraciones representan el último esfuerzo de China por ampliar el alcance de su iniciativa de autosuficiencia en chips en el marco del nuevo 15º plan quinquenal, en medio de una intensa competencia tecnológica con Estados Unidos en la fabricación de chips avanzados.

Las fotorresistencias, utilizadas en procesos como la fotolitografía y el fotograbado para formar recubrimientos con patrones en superficies, son un insumo clave en la fabricación de chips.

El material se clasifica según las longitudes de onda de exposición, incluyendo UV de banda ancha, línea G, línea I, KrF, ArF, EUV y haces de electrones. Las tecnologías KrF, ArF y EUV son las más avanzadas.

Según Fu, gracias a los crecientes esfuerzos, el sector nacional de las fotorresistencias está experimentando una transición de avances puntuales a un desarrollo sistémico.