El gigante de los chips de memoria afirma que su diseño patentado de transistores podría aumentar la densidad de almacenamiento y mejorar la eficiencia.

El gigante chino de chips de memoria ChangXin Memory Technologies (CXMT) ha informado de «avances clave» en una nueva estructura —en la que también trabajan sus rivales Samsung Electronics y SK Hynix— destinada a aumentar la densidad de memoria.

CXMT tiene previsto lanzar un nuevo producto de memoria para servidores basado en esta estructura a finales de 2026, según declaró su presidente, Cao Kanyu, durante un evento del sector celebrado en Shanghái el fin de semana, tal como indica un comunicado de la empresa.

El elemento central de este desarrollo es el diseño «4F cuadrado», en el que cada celda de memoria ocupa un área de 4F cuadrados (donde F representa el ancho de línea mínimo de un semiconductor). Esta estructura permite una mayor densidad de almacenamiento al integrar más celdas en un mismo chip.

Actualmente, la memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM) comercial convencional utiliza una estructura de celdas cuadradas de 6F.