Basic Semiconductor es la última empresa del sector en avanzar hacia una oferta pública inicial (OPI).
A medida que el auge mundial de la inteligencia artificial (IA) ejerce una intensa presión sobre las redes energéticas de los centros de datos, algunos fabricantes chinos de chips apuestan por semiconductores de carburo de silicio (SiC) de alta eficiencia para ayudar a resolver el problema energético del sector tecnológico.
Basic Semiconductor, con sede en Shenzhen, es la última empresa que busca financiar su expansión tras superar una audiencia de cotización a principios de esta semana, avanzando así en su camino hacia una oferta pública inicial (OPI) en Hong Kong.
Fundada en 2016 por graduados de la Universidad de Tsinghua y la Universidad de Cambridge, la firma es uno de los pocos fabricantes de dispositivos totalmente integrados de China en el ámbito del SiC, especializándose en todo el proceso: desde el diseño de chips y la fabricación de obleas hasta el encapsulado de módulos.
El esperado debut bursátil de Basic subraya un impulso nacional más amplio por dominar la siguiente fase de la tecnología SiC. La empresa se une a otras del sector, como Silan Microelectronics y China Resources Microelectronics, en una carrera por abastecer la infraestructura de IA de próxima generación ante una demanda creciente.
Los chips de SiC, fabricados a partir de un material semiconductor compuesto con una resistencia térmica y una eficiencia energética excepcionales, han sido valorados durante mucho tiempo como componentes en vehículos eléctricos (VE). Ahora surge una nueva e importante oportunidad, ya que la demanda de IA impulsa la necesidad de modernizar las fuentes de energía de los centros de datos.
Se espera que, en las avanzadas configuraciones de rack Kyber de 800 V de Nvidia, los chips de SiC y de nitruro de galio (GaN) acaparen entre el 10% y el 15% de la arquitectura de semiconductores de potencia —cuya implementación masiva estaba prevista para 2027—, según investigaciones de UBS. Al igual que el SiC, el GaN es un material compuesto de última generación capaz de soportar voltajes más elevados que el silicio tradicional. Si bien los analistas de UBS señalaron que el mercado mundial de SiC presenta actualmente un exceso de oferta —debido en gran medida a la agresiva expansión de la capacidad por parte de empresas chinas—, afirmaron que la transición a arquitecturas de 800 V en 2027 y 2028 ayudaría a absorber parte del excedente de inventario, impulsada en parte por la adopción de esta tecnología en los centros de datos.
